簡介：

電化學CV剖面濃度測試儀

產品詳情

產地：德國WEP；

型號：CVP21;

 

電化學電容-電壓測試，也稱為電化學C-V、ECV、摻雜濃度檢測(C-V Profiling)、PN結深測試等。電化學C-V主要用于半導體材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV可以用于太陽能電池、LED等產業的檢測，是半導體、化合物半導體材料研究或開發的主要工具之一。

電化學ECV剖面濃度分析儀(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。

WEP CVP21模塊化的系統設計結構使得本系統可以高效、準確的測量半導體材料結構層中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。

 

應用領域：

CVP21應用范圍寬，可有效檢測外延材料、材料的離子注入、材料的擴散工藝，可用于絕大多數的半導體材料。

- IV族化合物半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…；

- III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

- 三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

- 四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

- 氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

- II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

- 其他不常見半導體材料(可以聯系我們進行樣品測量)。

 

技術規格特點：

- 載流子濃度測量范圍：10¹¹/cm³ ~ 10²¹/cm³；

- 深度分辨率：1nm ~ 100um；

- 樣品尺寸：碎片(2x4mm) ~ 8”晶圓片；

- 模塊化結構，光學、電子和化學部分相對獨立，系統可靠性高(儀器的電子、機械、光學、液體傳動幾個主要部分均經特殊設計)；

- 免校準的系統(完全自校準的電子系統，電壓電容均無須用戶再次校準)；

- 實時監控腐蝕過程；

- 電化學樣品池自動裝載/排出/再裝載，樣品干燥進出(dry-in/dry-out)；

- 全自動測試；

- 提供免費樣品測試并提供測試報告；

 

參考用戶：

上海交通大學、西安205所、中科院上海技術物理研究所、協鑫集成、晶澳太陽能、英利能源等.